半導(dǎo)體板塊21日盤中發(fā)力上揚(yáng)，截至發(fā)稿，樂(lè)鑫科技漲超18%創(chuàng)出新高，翱捷科技、全志科技漲超10%，炬芯科技、晶晨股份漲超9%。

消息面上，1月15日晚間，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）修訂了《出口管理?xiàng)l例》（EAR），修改DRAM先進(jìn)存儲(chǔ)定義，工藝節(jié)點(diǎn)仍為18nm，存儲(chǔ)單元面積及存儲(chǔ)密度由2024年12月的1ynm變?yōu)?xnm，同時(shí)增加TSV通孔數(shù)限制，對(duì)HBM和先進(jìn)DRAM的限制再加碼，倒逼產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化加速。

中信證券表示，本次限制針對(duì)制造廠商及供應(yīng)鏈，設(shè)計(jì)廠商業(yè)務(wù)正常開(kāi)展，看好高端定制存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，持續(xù)推薦。同時(shí)，后續(xù)在本土高端封測(cè)廠商和設(shè)備廠商的配合下，國(guó)內(nèi)DRAM原廠有望突破HBM，布局相關(guān)環(huán)節(jié)的廠商有望核心受益，看好高端存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)替代。

信達(dá)證券指出，制裁升級(jí)或?qū)⒓铀賴?guó)產(chǎn)替代節(jié)奏，產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)在自主可控大趨勢(shì)下仍具備較大成長(zhǎng)空間，建議關(guān)注代工：中芯國(guó)際、華虹公司等；AI芯片：寒武紀(jì)、海光信息等；HBM：通富微電、賽騰股份、華海誠(chéng)科等；設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、精測(cè)電子等；零部件：茂萊光學(xué)、福晶科技、富創(chuàng)精密等；材料：鼎龍股份、安集科技、興森科技等；EDA/IP：華大九天、概倫電子、芯原股份等。

校對(duì)：王蔚