機(jī)構(gòu):預(yù)計(jì)2025年廣義半導(dǎo)體代工市場將同比增長11%
來源:證券時(shí)報(bào)網(wǎng)作者:王一鳴2025-03-25 11:21

近日,IDC發(fā)布全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈情況的最新報(bào)告。報(bào)告顯示,全球半導(dǎo)體市場繼2024年復(fù)蘇之后,預(yù)計(jì)2025年將實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長。廣義的Foundry 2.0市場(涵蓋晶圓代工、非存儲器 IDM、OSAT和光掩模制造)預(yù)計(jì)將在2025年達(dá)到2980億美元的市場規(guī)模,同比增長11%,標(biāo)志著從2024年的復(fù)蘇階段過渡到2025年的增長階段。

從長期來看,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)該市場2024年至2029年的復(fù)合年增長率 (CAGR) 將達(dá)到10%。這一增長受到AI需求持續(xù)增長和非AI需求逐步復(fù)蘇的催化。

“半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈正在進(jìn)入新一輪擴(kuò)張浪潮,人工智能持續(xù)拉動先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝需求,傳統(tǒng)應(yīng)用市場逐步復(fù)蘇,為行業(yè)帶來多元化發(fā)展機(jī)遇。然而,行業(yè)必須應(yīng)對多種變量,包括地緣政治風(fēng)險(xiǎn)、國家政策(如中國消費(fèi)刺激措施、美國建廠補(bǔ)貼和潛在的美國芯片關(guān)稅)、新產(chǎn)能帶來的供需波動以及人工智能應(yīng)用的商業(yè)化進(jìn)程。這些因素將塑造半導(dǎo)體行業(yè)的長期發(fā)展軌跡?!盜DC亞太區(qū)高級研究經(jīng)理曾志偉表示。

具體分領(lǐng)域來看,IDC認(rèn)為,晶圓代工仍是半導(dǎo)體制造的核心驅(qū)動力,臺積電憑借5nm以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝CoWoS的技術(shù)優(yōu)勢,獲得了AI加速器制造的大量訂單,產(chǎn)能利用率持續(xù)處于滿負(fù)荷狀態(tài),預(yù)計(jì)2025年臺積電在Foundry 2.0市場的份額將擴(kuò)大到37%。

“雖然其他代工廠面臨成熟節(jié)點(diǎn)價(jià)格下滑的壓力,但消費(fèi)電子產(chǎn)品(如智能手機(jī)、個(gè)人電腦、筆記本電腦、電視和可穿戴設(shè)備)需求的反彈推動了成熟節(jié)點(diǎn)利用率預(yù)計(jì)平均增長4%。這一復(fù)蘇推動了整個(gè)代工市場的大幅擴(kuò)張,預(yù)計(jì)到2025年將增長18%。”IDC在報(bào)告中給出預(yù)測。

不過,非內(nèi)存IDM領(lǐng)域?qū)⒚媾R挑戰(zhàn)。報(bào)告顯示,非內(nèi)存IDM(集成設(shè)備制造商)領(lǐng)域則受限于AI加速器部署不足,2025年擴(kuò)張空間有限。英特爾積極推廣制程技術(shù),尤其是18A制程以及Intel 3/Intel 4制程,預(yù)期將在Foundry 2.0市場維持約6%的市占率。

與此同時(shí),專注于汽車和工業(yè)領(lǐng)域的IDM,如英飛凌、德州儀器、意法半導(dǎo)體等已完成庫存調(diào)整。但預(yù)計(jì)2025年上半年市場需求仍將疲軟,下半年將趨于穩(wěn)定。這些因素共同限制了2025年整體非內(nèi)存IDM行業(yè)僅實(shí)現(xiàn)2%的溫和增長。

半導(dǎo)體封裝和測試領(lǐng)域則受益于工智能驅(qū)動的增長。IDC指出,由于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)需求,IDM增加對代工廠的外包,將封裝和測試需求轉(zhuǎn)移到OSAT(外包半導(dǎo)體封裝和測試)供應(yīng)商,這讓OSAT行業(yè)受益匪淺。盡管傳統(tǒng)封裝和測試業(yè)務(wù)依然不溫不火,但對AI加速器的強(qiáng)勁需求刺激了先進(jìn)封裝訂單的增加。SPIL、Amkor和KYEC等供應(yīng)商正在積極承接更多與CoWoS相關(guān)的訂單,共同推動整個(gè)OSAT行業(yè)在2025年實(shí)現(xiàn)8%的預(yù)期增長。

近期,另一家研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research亦對2025年半導(dǎo)體晶圓代工市場前景樂觀。該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2025至2028年間營收年均增長率(CAGR)將達(dá)13%—15%。產(chǎn)業(yè)增長將主要由3nm、2nm及以下的先進(jìn)制程推動,并受到CoWoS與3D封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)加速采用的帶動。隨著高性能計(jì)算(HPC)與AI應(yīng)用需求持續(xù)攀升,這些技術(shù)將成為未來3—5年內(nèi)的核心增長動能。

責(zé)任編輯: 潘玉蓉
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